Запрос
Вернуться в каталог и поиск

2N7002ET1G

Производитель: onsemi

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Одиночные полевые транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › Single FETs, MOSFETs

MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3

Технические характеристики
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажа Surface Mount
Тип корпуса (Package/Case) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss) 60 V
Тип корпуса от поставщика SOT-23-3 (TO-236)
Тип полевого транзистора (FET) N-Channel
Рассеиваемая мощность (Макс.) 300mW (Tj)
Постоянный ток стока (Id) при 25°C 260mA (Ta)
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds 26.7 pF @ 25 V
Напряжение затвор-исток Vgs (Макс.) ±20V
Полный заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs 0.81 nC @ 5 V
Управляющее напряжение (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 4.5V, 10V
Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id 2.5V @ 250µA
Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs 2.5Ohm @ 240mA, 10V
Складские остатки и цены
Future Electronics 399,000 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 3000 шт. 0.0211 USD
от 9000 шт. 0.0206 USD
от 15000 шт. 0.0204 USD
от 45000 шт. 0.0199 USD
от 75000 шт. 0.0195 USD
Avnet 297,000 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 3000 шт. 0.0248 USD
от 6000 шт. 0.02447 USD
от 12000 шт. 0.024 USD
от 24000 шт. 0.02363 USD
от 48000 шт. 0.02325 USD
Farnell 89,634 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 5 шт. 0.242 EUR
от 50 шт. 0.106 EUR
от 100 шт. 0.0894 EUR
от 500 шт. 0.0671 EUR
от 1500 шт. 0.0662 EUR
от 3000 шт. 0.0437 EUR
от 9000 шт. 0.0428 EUR
element14 749 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 5 шт. 0.981 HKD
от 50 шт. 0.918 HKD
от 100 шт. 0.855 HKD
от 500 шт. 0.622 HKD
от 1500 шт. 0.610 HKD
от 3000 шт. 0.409 HKD
от 9000 шт. 0.401 HKD