NTZD3155CT1G
Производитель: onsemi
✓ Проверенная номенклатура
📁
Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Сборки полевых транзисторов
Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › FET, MOSFET Arrays
MOSFET N/P-CH 20V SOT-563
Технические характеристики
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажа
Surface Mount
Конфигурация
N and P-Channel
Тип корпуса (Package/Case)
SOT-563, SOT-666
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Максимальная мощность
250mW
Напряжение сток-исток (Vdss)
20V
Тип корпуса от поставщика
SOT-563
Постоянный ток стока (Id) при 25°C
540mA, 430mA
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds
150pF @ 16V
Полный заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs
2.5nC @ 4.5V
Особенности FET (полевого транзистора)
Logic Level Gate
Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id
1V @ 250µA
Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs
550mOhm @ 540mA, 4.5V
Складские остатки и цены
Avnet
40,000 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 4000 шт. | 0.08146 USD |
| от 8000 шт. | 0.08048 USD |
| от 16000 шт. | 0.07952 USD |
| от 32000 шт. | 0.07915 USD |
| от 64000 шт. | 0.07859 USD |
TME
167 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 5 шт. | 0.324 EUR |
| от 10 шт. | 0.27 EUR |
| от 50 шт. | 0.175 EUR |
| от 100 шт. | 0.146 EUR |
| от 250 шт. | 0.116 EUR |
| от 500 шт. | 0.102 EUR |
Похожие компоненты в этой категории