Запрос
Вернуться в каталог и поиск

NTZD3154NT1G

Производитель: onsemi

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Сборки полевых транзисторов
Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › FET, MOSFET Arrays

MOSFET 2N-CH 20V 540MA SOT563

Технические характеристики
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажа Surface Mount
Конфигурация 2 N-Channel (Dual)
Тип корпуса (Package/Case) SOT-563, SOT-666
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Максимальная мощность 250mW
Напряжение сток-исток (Vdss) 20V
Тип корпуса от поставщика SOT-563
Постоянный ток стока (Id) при 25°C 540mA
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds 150pF @ 16V
Полный заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs 2.5nC @ 4.5V
Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id 1V @ 250µA
Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Складские остатки и цены
Future Electronics 324,000 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 4000 шт. 0.0865 USD
от 12000 шт. 0.0843 USD
от 16000 шт. 0.0838 USD
от 40000 шт. 0.0821 USD
от 60000 шт. 0.0804 USD
Avnet 204,000 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 4000 шт. 0.06262 USD
от 8000 шт. 0.0623 USD
от 16000 шт. 0.06198 USD
от 32000 шт. 0.06166 USD
от 64000 шт. 0.06134 USD
RS HK 600 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 100 шт. 1.777 HKD
от 1000 шт. 1.744 HKD
от 2000 шт. 1.715 HKD