Запрос
Вернуться в каталог и поиск

NTR5105PT1G

Производитель: onsemi

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Одиночные полевые транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › Single FETs, MOSFETs

MOSFET P-CH 60V 196MA SOT23-3

Технические характеристики
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажа Surface Mount
Тип корпуса (Package/Case) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss) 60 V
Тип корпуса от поставщика SOT-23-3 (TO-236)
Тип полевого транзистора (FET) P-Channel
Рассеиваемая мощность (Макс.) 347mW (Ta)
Постоянный ток стока (Id) при 25°C 196mA (Ta)
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds 30.3 pF @ 25 V
Напряжение затвор-исток Vgs (Макс.) ±20V
Полный заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs 1 nC @ 5 V
Управляющее напряжение (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 4.5V, 10V
Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id 3V @ 250µA
Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs 5Ohm @ 100mA, 10V
Складские остатки и цены
Avnet 639,000 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 3000 шт. 0.02783 USD
от 6000 шт. 0.02769 USD
от 12000 шт. 0.02755 USD
от 24000 шт. 0.02741 USD
от 48000 шт. 0.02726 USD