Запрос
Вернуться в каталог и поиск

NTJD4401NT1G

Производитель: onsemi

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Сборки полевых транзисторов
Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › FET, MOSFET Arrays

MOSFET 2N-CH 20V 630MA SOT363

Технические характеристики
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажа Surface Mount
Конфигурация 2 N-Channel (Dual)
Тип корпуса (Package/Case) 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Максимальная мощность 270mW
Напряжение сток-исток (Vdss) 20V
Тип корпуса от поставщика SC-88/SC70-6/SOT-363
Постоянный ток стока (Id) при 25°C 630mA
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds 46pF @ 20V
Полный заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs 3nC @ 4.5V
Особенности FET (полевого транзистора) Logic Level Gate
Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id 1.5V @ 250µA
Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs 375mOhm @ 630mA, 4.5V
Складские остатки и цены
Avnet 204,000 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 3000 шт. 0.07213 USD
от 6000 шт. 0.07118 USD
от 12000 шт. 0.06981 USD
от 24000 шт. 0.06874 USD
от 48000 шт. 0.06762 USD
Future Electronics 153,000 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 3000 шт. 0.093 USD
от 9000 шт. 0.0907 USD
от 15000 шт. 0.0897 USD
от 30000 шт. 0.0883 USD
от 60000 шт. 0.086 USD
Farnell 2,970 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 5 шт. 0.437 EUR
от 10 шт. 0.270 EUR
от 100 шт. 0.170 EUR
от 500 шт. 0.128 EUR
от 1000 шт. 0.112 EUR
от 5000 шт. 0.0962 EUR
RS HK 1,100 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 100 шт. 1.501 HKD
от 800 шт. 1.464 HKD
от 1500 шт. 1.439 HKD