NTJD4105CT1G
Производитель: onsemi
✓ Проверенная номенклатура
📁
Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Сборки полевых транзисторов
Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › FET, MOSFET Arrays
MOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363
Технические характеристики
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажа
Surface Mount
Конфигурация
N and P-Channel
Тип корпуса (Package/Case)
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Максимальная мощность
270mW
Напряжение сток-исток (Vdss)
20V, 8V
Тип корпуса от поставщика
SC-88/SC70-6/SOT-363
Постоянный ток стока (Id) при 25°C
630mA, 775mA
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds
46pF @ 20V
Полный заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs
3nC @ 4.5V
Особенности FET (полевого транзистора)
Logic Level Gate
Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id
1.5V @ 250µA
Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs
375mOhm @ 630mA, 4.5V
Складские остатки и цены
Avnet
42,000 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 3000 шт. | 0.08007 USD |
| от 6000 шт. | 0.07966 USD |
| от 12000 шт. | 0.07925 USD |
| от 24000 шт. | 0.07884 USD |
| от 48000 шт. | 0.07843 USD |
Похожие компоненты в этой категории