NDS352AP
Производитель: onsemi
✓ Проверенная номенклатура
📁
Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Одиночные полевые транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › Single FETs, MOSFETs
MOSFET P-CH 30V 900MA SUPERSOT3
Технические характеристики
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажа
Surface Mount
Тип корпуса (Package/Case)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss)
30 V
Тип корпуса от поставщика
SOT-23-3
Тип полевого транзистора (FET)
P-Channel
Рассеиваемая мощность (Макс.)
500mW (Ta)
Постоянный ток стока (Id) при 25°C
900mA (Ta)
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds
135 pF @ 15 V
Напряжение затвор-исток Vgs (Макс.)
±20V
Полный заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs
3 nC @ 4.5 V
Управляющее напряжение (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
4.5V, 10V
Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id
2.5V @ 250µA
Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs
300mOhm @ 1A, 10V
Складские остатки и цены
Future Electronics
114,000 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 3000 шт. | 0.0912 USD |
| от 9000 шт. | 0.0889 USD |
| от 15000 шт. | 0.0879 USD |
| от 30000 шт. | 0.0865 USD |
| от 60000 шт. | 0.0843 USD |
Avnet
42,000 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 3000 шт. | 0.11939 USD |
| от 6000 шт. | 0.11795 USD |
| от 12000 шт. | 0.11655 USD |
| от 24000 шт. | 0.116 USD |
| от 48000 шт. | 0.11518 USD |
RS HK
3,330 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 750 шт. | 3.36 HKD |
| от 1500 шт. | 3.31 HKD |
RS HK
3,000 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 3000 шт. | 1.274 HKD |
| от 6000 шт. | 1.249 HKD |
| от 12000 шт. | 1.224 HKD |
TME
2,809 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 1 шт. | 0.645 EUR |
| от 5 шт. | 0.389 EUR |
| от 10 шт. | 0.361 EUR |
| от 50 шт. | 0.298 EUR |
| от 100 шт. | 0.265 EUR |
| от 250 шт. | 0.216 EUR |
| от 500 шт. | 0.19 EUR |
| от 1000 шт. | 0.186 EUR |
Похожие компоненты в этой категории