Запрос
Вернуться в каталог и поиск

MUN5330DW1T1G

Производитель: onsemi

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Сборки цифровых транзисторов (с резисторами)
Discrete Semiconductor Products › Transistors › Bipolar (BJT) › Bipolar Transistor Arrays, Pre-Biased

TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363

Технические характеристики
Тип монтажа Surface Mount
Производитель 2 onsemi
Тип транзистора 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Резистор - База (R1) 1kOhms
Тип корпуса (Package/Case) 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Максимальная мощность 250mW
Ток коллектора (Ic) (Макс.) 100mA
Резистор - Эмиттер-База (R2) 1kOhms
Тип корпуса от поставщика SC-88/SC70-6/SOT-363
Ток отсечки коллектора (Макс.) 500nA
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Макс.) 50V
Напряжение насыщения Vce(sat) (Макс.) при токах Ib, Ic 250mV @ 5mA, 10mA
Коэффициент усиления по пост. току (hFE) (Мин.) при Ic, Vce 3 @ 5mA, 10V
Складские остатки и цены
Avnet 51,000 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 3000 шт. 0.02574 USD
от 6000 шт. 0.02552 USD
от 12000 шт. 0.02516 USD
от 24000 шт. 0.02479 USD
от 48000 шт. 0.02443 USD
Farnell 3,516 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 5 шт. 0.228 EUR
от 10 шт. 0.140 EUR
от 100 шт. 0.0867 EUR
от 500 шт. 0.0639 EUR
от 1000 шт. 0.0564 EUR
от 5000 шт. 0.0432 EUR
Mouser 5 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 1 шт. 0.258 EUR
от 10 шт. 0.151 EUR
от 100 шт. 0.093 EUR
от 500 шт. 0.068 EUR
от 1000 шт. 0.063 EUR
от 3000 шт. 0.043 EUR