Запрос
Вернуться в каталог и поиск

MUN5114T1G

Производитель: onsemi

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Одиночные цифровые транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › Bipolar (BJT) › Single, Pre-Biased Bipolar Transistors

TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3

Технические характеристики
Тип монтажа Surface Mount
Тип транзистора PNP - Pre-Biased
Резистор - База (R1) 10 kOhms
Тип корпуса (Package/Case) SC-70, SOT-323
Максимальная мощность 202 mW
Ток коллектора (Ic) (Макс.) 100 mA
Резистор - Эмиттер-База (R2) 47 kOhms
Тип корпуса от поставщика SC-70-3 (SOT323)
Ток отсечки коллектора (Макс.) 500nA
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Макс.) 50 V
Напряжение насыщения Vce(sat) (Макс.) при токах Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Коэффициент усиления по пост. току (hFE) (Мин.) при Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
Складские остатки и цены
Avnet 210,000 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 3000 шт. 0.01587 USD
от 6000 шт. 0.01566 USD
от 12000 шт. 0.01536 USD
от 24000 шт. 0.01512 USD
от 48000 шт. 0.01488 USD
Mouser 2,044 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 1 шт. 0.146 EUR
от 10 шт. 0.087 EUR
от 100 шт. 0.059 EUR
от 500 шт. 0.043 EUR
от 1000 шт. 0.037 EUR
от 3000 шт. 0.033 EUR