Запрос
Вернуться в каталог и поиск

MMUN2232LT1G

Производитель: onsemi

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Одиночные цифровые транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › Bipolar (BJT) › Single, Pre-Biased Bipolar Transistors

TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3

Технические характеристики
Тип монтажа Surface Mount
Тип транзистора NPN - Pre-Biased
Резистор - База (R1) 4.7 kOhms
Тип корпуса (Package/Case) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Максимальная мощность 246 mW
Ток коллектора (Ic) (Макс.) 100 mA
Резистор - Эмиттер-База (R2) 4.7 kOhms
Тип корпуса от поставщика SOT-23-3 (TO-236)
Ток отсечки коллектора (Макс.) 500nA
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Макс.) 50 V
Напряжение насыщения Vce(sat) (Макс.) при токах Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA
Коэффициент усиления по пост. току (hFE) (Мин.) при Ic, Vce 15 @ 5mA, 10V
Складские остатки и цены
Avnet 1,347,000 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 3000 шт. 0.01267 USD
от 6000 шт. 0.0125 USD
от 12000 шт. 0.01226 USD
от 24000 шт. 0.01207 USD
от 48000 шт. 0.01188 USD
Mouser 48,746 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 1 шт. 0.12 EUR
от 10 шт. 0.074 EUR
от 100 шт. 0.046 EUR
от 500 шт. 0.034 EUR
от 1000 шт. 0.029 EUR
от 3000 шт. 0.022 EUR
от 6000 шт. 0.019 EUR
от 24000 шт. 0.018 EUR
Newark 476 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 1 шт. 0.125 USD
от 50 шт. 0.079 USD
от 100 шт. 0.051 USD
от 250 шт. 0.045 USD
от 500 шт. 0.038 USD
от 1000 шт. 0.035 USD
от 2500 шт. 0.034 USD
от 5000 шт. 0.033 USD
от 18000 шт. 0.027 USD