MJD32CT4G
Производитель: onsemi
✓ Проверенная номенклатура
📁
Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Одиночные биполярные транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › Bipolar (BJT) › Single Bipolar Transistors
TRANS PNP 100V 3A DPAK
Технические характеристики
Тип монтажа
Surface Mount
Тип транзистора
PNP
Тип корпуса (Package/Case)
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Рабочая температура
-65°C ~ 150°C (TJ)
Граничная частота (ft)
3MHz
Максимальная мощность
1.56 W
Ток коллектора (Ic) (Макс.)
3 A
Тип корпуса от поставщика
DPAK
Ток отсечки коллектора (Макс.)
50µA
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Макс.)
100 V
Напряжение насыщения Vce(sat) (Макс.) при токах Ib, Ic
1.2V @ 375mA, 3A
Коэффициент усиления по пост. току (hFE) (Мин.) при Ic, Vce
10 @ 3A, 4V
Складские остатки и цены
Avnet
240,000 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 2500 шт. | 0.18659 USD |
Future Electronics
2,500 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 2500 шт. | 0.25 USD |
| от 7500 шт. | 0.245 USD |
RS HK
1,840 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 100 шт. | 3.341 HKD |
| от 200 шт. | 3.279 HKD |
Похожие компоненты в этой категории