MC1413BDR2G
Производитель: onsemi
✓ Проверенная номенклатура
📁
Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Сборки биполярных транзисторов
Discrete Semiconductor Products › Transistors › Bipolar (BJT) › Bipolar Transistor Arrays
TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SOIC
Технические характеристики
Тип монтажа
Surface Mount
Тип транзистора
7 NPN Darlington
Тип корпуса (Package/Case)
16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Ток коллектора (Ic) (Макс.)
500mA
Тип корпуса от поставщика
16-SOIC
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Макс.)
50V
Напряжение насыщения Vce(sat) (Макс.) при токах Ib, Ic
1.6V @ 500µA, 350mA
Коэффициент усиления по пост. току (hFE) (Мин.) при Ic, Vce
1000 @ 350mA, 2V
Складские остатки и цены
Avnet
55,000 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 2500 шт. | 0.16473 USD |
| от 5000 шт. | 0.1604 USD |
| от 10000 шт. | 0.15831 USD |
| от 20000 шт. | 0.15628 USD |
| от 40000 шт. | 0.15049 USD |
TME
434 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 1 шт. | 0.614 EUR |
| от 10 шт. | 0.508 EUR |
Похожие компоненты в этой категории