FQD19N10LTM
Производитель: onsemi
✓ Проверенная номенклатура
📁
Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Одиночные полевые транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › Single FETs, MOSFETs
MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
Технические характеристики
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажа
Surface Mount
Тип корпуса (Package/Case)
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss)
100 V
Тип корпуса от поставщика
TO-252AA
Тип полевого транзистора (FET)
N-Channel
Рассеиваемая мощность (Макс.)
2.5W (Ta), 50W (Tc)
Постоянный ток стока (Id) при 25°C
15.6A (Tc)
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds
870 pF @ 25 V
Напряжение затвор-исток Vgs (Макс.)
±20V
Полный заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs
18 nC @ 5 V
Управляющее напряжение (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
5V, 10V
Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id
2V @ 250µA
Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs
100mOhm @ 7.8A, 10V
Складские остатки и цены
Avnet
127,500 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 2500 шт. | 0.39073 USD |
| от 5000 шт. | 0.38602 USD |
| от 10000 шт. | 0.38143 USD |
| от 20000 шт. | 0.37962 USD |
| от 40000 шт. | 0.37699 USD |
RS HK
2,275 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 5 шт. | 13.28 HKD |
| от 625 шт. | 12.94 HKD |
| от 1250 шт. | 12.74 HKD |
Похожие компоненты в этой категории