Запрос
Вернуться в каталог и поиск

FDN360P

Производитель: onsemi

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Одиночные полевые транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › Single FETs, MOSFETs

MOSFET P-CH 30V 2A SUPERSOT3

Технические характеристики
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажа Surface Mount
Тип корпуса (Package/Case) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss) 30 V
Тип корпуса от поставщика SOT-23-3
Тип полевого транзистора (FET) P-Channel
Рассеиваемая мощность (Макс.) 500mW (Ta)
Постоянный ток стока (Id) при 25°C 2A (Ta)
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds 298 pF @ 15 V
Напряжение затвор-исток Vgs (Макс.) ±20V
Полный заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs 9 nC @ 10 V
Управляющее напряжение (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 4.5V, 10V
Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id 3V @ 250µA
Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs 80mOhm @ 2A, 10V
Складские остатки и цены
Avnet 120,000 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 3000 шт. 0.10622 USD
от 6000 шт. 0.10494 USD
от 12000 шт. 0.10369 USD
от 24000 шт. 0.1032 USD
от 48000 шт. 0.10247 USD
Future Electronics 21,000 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 3000 шт. 0.15 USD
от 6000 шт. 0.149 USD
от 9000 шт. 0.148 USD
от 12000 шт. 0.147 USD
от 15000 шт. 0.144 USD
RS HK 1,095 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 750 шт. 4.98 HKD
от 1500 шт. 4.92 HKD
RS HK 445 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 5 шт. 5.12 HKD
от 750 шт. 4.98 HKD
от 1500 шт. 4.92 HKD
element14 294 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 5 шт. 2.740 HKD
от 50 шт. 2.580 HKD
от 100 шт. 2.410 HKD
от 500 шт. 1.800 HKD
от 1500 шт. 1.760 HKD
от 3000 шт. 1.720 HKD
от 9000 шт. 1.690 HKD