FDN306P
Производитель: onsemi
✓ Проверенная номенклатура
📁
Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Одиночные полевые транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › Single FETs, MOSFETs
MOSFET P-CH 12V 2.6A SUPERSOT3
Технические характеристики
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажа
Surface Mount
Тип корпуса (Package/Case)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss)
12 V
Тип корпуса от поставщика
SOT-23-3
Тип полевого транзистора (FET)
P-Channel
Рассеиваемая мощность (Макс.)
500mW (Ta)
Постоянный ток стока (Id) при 25°C
2.6A (Ta)
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds
1138 pF @ 6 V
Напряжение затвор-исток Vgs (Макс.)
±8V
Полный заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs
17 nC @ 4.5 V
Управляющее напряжение (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
1.8V, 4.5V
Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id
1.5V @ 250µA
Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs
40mOhm @ 2.6A, 4.5V
Складские остатки и цены
Future Electronics
426,000 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 3000 шт. | 0.285 USD |
| от 9000 шт. | 0.28 USD |
| от 15000 шт. | 0.275 USD |
Avnet
315,000 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 3000 шт. | 0.11976 USD |
| от 6000 шт. | 0.11831 USD |
| от 12000 шт. | 0.1169 USD |
| от 24000 шт. | 0.11635 USD |
| от 48000 шт. | 0.11553 USD |
RS HK
15,485 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 750 шт. | 5.74 HKD |
| от 1500 шт. | 5.62 HKD |
RS HK
15,000 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 3000 шт. | 1.277 HKD |
| от 6000 шт. | 1.252 HKD |
| от 12000 шт. | 1.227 HKD |
Похожие компоненты в этой категории