FDMS86201
Производитель: onsemi
✓ Проверенная номенклатура
📁
Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Одиночные полевые транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › Single FETs, MOSFETs
MOSFET N-CH 120V 11.6A/49A 8PQFN
Технические характеристики
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажа
Surface Mount
Тип корпуса (Package/Case)
8-PowerTDFN
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss)
120 V
Тип корпуса от поставщика
8-PQFN (5x6)
Тип полевого транзистора (FET)
N-Channel
Рассеиваемая мощность (Макс.)
2.5W (Ta), 104W (Tc)
Постоянный ток стока (Id) при 25°C
11.6A (Ta), 49A (Tc)
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds
2735 pF @ 60 V
Напряжение затвор-исток Vgs (Макс.)
±20V
Полный заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs
46 nC @ 10 V
Управляющее напряжение (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
6V, 10V
Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id
4V @ 250µA
Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs
11.5mOhm @ 11.6A, 10V
Складские остатки и цены
Avnet
63,000 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 3000 шт. | 1.16951 USD |
| от 6000 шт. | 1.15542 USD |
| от 12000 шт. | 1.14167 USD |
| от 24000 шт. | 1.13626 USD |
| от 48000 шт. | 1.12824 USD |
Farnell
5,295 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 1 шт. | 3.440 EUR |
| от 10 шт. | 2.250 EUR |
| от 100 шт. | 1.640 EUR |
| от 500 шт. | 1.370 EUR |
| от 1000 шт. | 1.340 EUR |
Похожие компоненты в этой категории