FDMS86200
Производитель: onsemi
✓ Проверенная номенклатура
📁
Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Одиночные полевые транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › Single FETs, MOSFETs
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
Технические характеристики
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажа
Surface Mount
Тип корпуса (Package/Case)
8-PowerTDFN
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss)
150 V
Тип корпуса от поставщика
8-PQFN (5x6)
Тип полевого транзистора (FET)
N-Channel
Рассеиваемая мощность (Макс.)
2.5W (Ta), 104W (Tc)
Постоянный ток стока (Id) при 25°C
9.6A (Ta), 35A (Tc)
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds
2715 pF @ 75 V
Напряжение затвор-исток Vgs (Макс.)
±20V
Полный заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs
46 nC @ 10 V
Управляющее напряжение (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
6V, 10V
Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id
4V @ 250µA
Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs
18mOhm @ 9.6A, 10V
Складские остатки и цены
Avnet
36,000 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 3000 шт. | 1.06561 USD |
| от 6000 шт. | 1.05277 USD |
| от 12000 шт. | 1.04024 USD |
| от 24000 шт. | 1.03531 USD |
| от 48000 шт. | 1.028 USD |
Farnell
8,941 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 1 шт. | 3.490 EUR |
| от 10 шт. | 1.750 EUR |
| от 100 шт. | 1.590 EUR |
| от 500 шт. | 1.320 EUR |
| от 1000 шт. | 1.290 EUR |
Похожие компоненты в этой категории