FDC658P
Производитель: onsemi
✓ Проверенная номенклатура
📁
Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Одиночные полевые транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › Single FETs, MOSFETs
MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6
Технические характеристики
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажа
Surface Mount
Тип корпуса (Package/Case)
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss)
30 V
Тип корпуса от поставщика
SuperSOT™-6
Тип полевого транзистора (FET)
P-Channel
Рассеиваемая мощность (Макс.)
1.6W (Ta)
Постоянный ток стока (Id) при 25°C
4A (Ta)
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds
750 pF @ 15 V
Напряжение затвор-исток Vgs (Макс.)
±20V
Полный заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs
12 nC @ 5 V
Управляющее напряжение (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
10V
Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id
3V @ 250µA
Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs
50mOhm @ 4A, 10V
Складские остатки и цены
Avnet
48,000 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 3000 шт. | 0.24769 USD |
RS HK
375 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 5 шт. | 10.16 HKD |
| от 750 шт. | 9.94 HKD |
| от 1500 шт. | 9.76 HKD |
Похожие компоненты в этой категории