Запрос
Вернуться в каталог и поиск

FDC655BN

Производитель: onsemi

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Одиночные полевые транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › Single FETs, MOSFETs

MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6

Технические характеристики
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажа Surface Mount
Тип корпуса (Package/Case) SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss) 30 V
Тип корпуса от поставщика SuperSOT™-6
Тип полевого транзистора (FET) N-Channel
Рассеиваемая мощность (Макс.) 1.6W (Ta)
Постоянный ток стока (Id) при 25°C 6.3A (Ta)
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds 570 pF @ 15 V
Напряжение затвор-исток Vgs (Макс.) ±20V
Полный заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs 15 nC @ 10 V
Управляющее напряжение (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 4.5V, 10V
Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id 3V @ 250µA
Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs 25mOhm @ 6.3A, 10V
Складские остатки и цены
Farnell 42,039 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 5 шт. 0.693 EUR
от 50 шт. 0.420 EUR
от 100 шт. 0.276 EUR
от 500 шт. 0.246 EUR
от 1500 шт. 0.204 EUR
от 3000 шт. 0.180 EUR
от 9000 шт. 0.174 EUR
Avnet 42,000 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 3000 шт. 0.12756 USD
от 6000 шт. 0.12602 USD
от 12000 шт. 0.12452 USD
от 24000 шт. 0.12393 USD
от 48000 шт. 0.12306 USD
element14 14,605 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 5 шт. 4.110 HKD
от 50 шт. 3.380 HKD
от 100 шт. 2.650 HKD
от 500 шт. 1.770 HKD
от 1500 шт. 1.740 HKD
от 3000 шт. 1.490 HKD
от 7500 шт. 1.570 HKD
от 9000 шт. 1.470 HKD
RS HK 2,400 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 10 шт. 3.81 HKD
от 750 шт. 3.76 HKD
от 1500 шт. 3.68 HKD
Newark 1,504 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 1 шт. 0.895 USD
от 50 шт. 0.433 USD
от 100 шт. 0.388 USD
от 250 шт. 0.349 USD
от 500 шт. 0.309 USD
от 1000 шт. 0.303 USD
от 2500 шт. 0.297 USD
от 3000 шт. 0.232 USD
от 5000 шт. 0.290 USD