FDC653N
Производитель: onsemi
✓ Проверенная номенклатура
📁
Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Одиночные полевые транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › Single FETs, MOSFETs
MOSFET N-CH 30V 5A SUPERSOT6
Технические характеристики
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажа
Surface Mount
Тип корпуса (Package/Case)
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss)
30 V
Тип корпуса от поставщика
SuperSOT™-6
Тип полевого транзистора (FET)
N-Channel
Рассеиваемая мощность (Макс.)
1.6W (Ta)
Постоянный ток стока (Id) при 25°C
5A (Ta)
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds
350 pF @ 15 V
Напряжение затвор-исток Vgs (Макс.)
±20V
Полный заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs
17 nC @ 10 V
Управляющее напряжение (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
4.5V, 10V
Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id
2V @ 250µA
Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs
35mOhm @ 5A, 10V
Складские остатки и цены
Avnet
81,000 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 3000 шт. | 0.24816 USD |
element14
3 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 5 шт. | 5.090 HKD |
| от 50 шт. | 4.640 HKD |
| от 100 шт. | 4.180 HKD |
| от 500 шт. | 3.170 HKD |
| от 1500 шт. | 3.110 HKD |
| от 3000 шт. | 2.630 HKD |
| от 9000 шт. | 2.580 HKD |
Похожие компоненты в этой категории