FDC638APZ
Производитель: onsemi
✓ Проверенная номенклатура
📁
Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Одиночные полевые транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › Single FETs, MOSFETs
MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6
Технические характеристики
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажа
Surface Mount
Тип корпуса (Package/Case)
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss)
20 V
Тип корпуса от поставщика
SuperSOT™-6
Тип полевого транзистора (FET)
P-Channel
Рассеиваемая мощность (Макс.)
1.6W (Ta)
Постоянный ток стока (Id) при 25°C
4.5A (Ta)
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds
1000 pF @ 10 V
Напряжение затвор-исток Vgs (Макс.)
±12V
Полный заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs
12 nC @ 4.5 V
Управляющее напряжение (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
2.5V, 4.5V
Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id
1.5V @ 250µA
Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs
43mOhm @ 4.5A, 4.5V
Складские остатки и цены
Avnet
36,000 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 3000 шт. | 0.16512 USD |
| от 6000 шт. | 0.16313 USD |
| от 12000 шт. | 0.16119 USD |
| от 24000 шт. | 0.16043 USD |
| от 48000 шт. | 0.15929 USD |
TME
2,500 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 1 шт. | 0.898 EUR |
| от 10 шт. | 0.582 EUR |
| от 50 шт. | 0.419 EUR |
| от 100 шт. | 0.362 EUR |
| от 500 шт. | 0.257 EUR |
| от 1000 шт. | 0.222 EUR |
| от 1500 шт. | 0.203 EUR |
| от 3000 шт. | 0.193 EUR |
Похожие компоненты в этой категории