Запрос
Вернуться в каталог и поиск

FDC6327C

Производитель: onsemi

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Сборки полевых транзисторов
Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › FET, MOSFET Arrays

MOSFET N/P-CH 20V SSOT-6

Технические характеристики
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажа Surface Mount
Конфигурация N and P-Channel
Тип корпуса (Package/Case) SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Максимальная мощность 700mW
Напряжение сток-исток (Vdss) 20V
Тип корпуса от поставщика SuperSOT™-6
Постоянный ток стока (Id) при 25°C 2.7A, 1.9A
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds 325pF @ 10V
Полный заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs 4.5nC @ 4.5V
Особенности FET (полевого транзистора) Logic Level Gate
Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id 1.5V @ 250µA
Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs 80mOhm @ 2.7A, 4.5V
Складские остатки и цены
Avnet 75,000 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 3000 шт. 0.26649 USD
TME 2,972 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 1 шт. 1.28 EUR
от 10 шт. 0.944 EUR
от 50 шт. 0.665 EUR
от 100 шт. 0.571 EUR
от 250 шт. 0.474 EUR
от 500 шт. 0.417 EUR
от 1000 шт. 0.373 EUR
от 1500 шт. 0.356 EUR
от 3000 шт. 0.345 EUR
RS HK 2,260 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 10 шт. 6.73 HKD
от 750 шт. 6.56 HKD
от 1500 шт. 6.44 HKD