BVSS138LT1G
Производитель: onsemi
✓ Проверенная номенклатура
📁
Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Одиночные полевые транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › Single FETs, MOSFETs
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Технические характеристики
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажа
Surface Mount
Тип корпуса (Package/Case)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss)
50 V
Тип корпуса от поставщика
SOT-23-3 (TO-236)
Тип полевого транзистора (FET)
N-Channel
Рассеиваемая мощность (Макс.)
225mW (Ta)
Постоянный ток стока (Id) при 25°C
200mA (Ta)
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds
50 pF @ 25 V
Напряжение затвор-исток Vgs (Макс.)
±20V
Управляющее напряжение (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
5V
Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id
1.5V @ 1mA
Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs
3.5Ohm @ 200mA, 5V
Складские остатки и цены
Avnet
258,000 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 3000 шт. | 0.05155 USD |
| от 6000 шт. | 0.05128 USD |
| от 12000 шт. | 0.05102 USD |
| от 24000 шт. | 0.05076 USD |
| от 48000 шт. | 0.0505 USD |
RS HK
26,400 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 100 шт. | 0.962 HKD |
| от 800 шт. | 0.937 HKD |
| от 1500 шт. | 0.923 HKD |
TME
968 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 1 шт. | 0.3044 EUR |
| от 5 шт. | 0.2042 EUR |
| от 10 шт. | 0.1622 EUR |
| от 100 шт. | 0.0871 EUR |
| от 500 шт. | 0.0718 EUR |
| от 3000 шт. | 0.0663 EUR |
Похожие компоненты в этой категории