Запрос
Вернуться в каталог и поиск

BVSS123LT1G

Производитель: onsemi

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Одиночные полевые транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › Single FETs, MOSFETs

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3

Технические характеристики
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажа Surface Mount
Тип корпуса (Package/Case) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss) 100 V
Тип корпуса от поставщика SOT-23-3 (TO-236)
Тип полевого транзистора (FET) N-Channel
Рассеиваемая мощность (Макс.) 225mW (Ta)
Постоянный ток стока (Id) при 25°C 170mA (Ta)
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds 20 pF @ 25 V
Напряжение затвор-исток Vgs (Макс.) ±20V
Управляющее напряжение (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 10V
Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id 2.8V @ 1mA
Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs 6Ohm @ 100mA, 10V
Складские остатки и цены
Avnet 282,000 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 3000 шт. 0.07448 USD
от 6000 шт. 0.0741 USD
от 12000 шт. 0.07372 USD
от 24000 шт. 0.07334 USD
от 48000 шт. 0.07296 USD
TME 1,865 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 1 шт. 0.418 EUR
от 5 шт. 0.309 EUR
от 10 шт. 0.258 EUR
от 30 шт. 0.19 EUR
от 100 шт. 0.14 EUR
от 500 шт. 0.102 EUR
от 1000 шт. 0.093 EUR
от 3000 шт. 0.084 EUR
от 6000 шт. 0.081 EUR
Farnell 1 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 5 шт. 0.386 EUR
от 10 шт. 0.170 EUR
от 100 шт. 0.149 EUR
от 500 шт. 0.111 EUR
от 1000 шт. 0.101 EUR
от 5000 шт. 0.0902 EUR