BD681G
Производитель: onsemi
✓ Проверенная номенклатура
📁
Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Одиночные биполярные транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › Bipolar (BJT) › Single Bipolar Transistors
TRANS NPN DARL 100V 4A TO126
Технические характеристики
Тип монтажа
Through Hole
Тип транзистора
NPN - Darlington
Тип корпуса (Package/Case)
TO-225AA, TO-126-3
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Максимальная мощность
40 W
Ток коллектора (Ic) (Макс.)
4 A
Тип корпуса от поставщика
TO-126
Ток отсечки коллектора (Макс.)
500µA
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Макс.)
100 V
Напряжение насыщения Vce(sat) (Макс.) при токах Ib, Ic
2.5V @ 30mA, 1.5A
Коэффициент усиления по пост. току (hFE) (Мин.) при Ic, Vce
750 @ 1.5A, 3V
Складские остатки и цены
Avnet
103,263 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 1 шт. | 0.38305 USD |
TME
1,136 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 1 шт. | 1.565 EUR |
| от 10 шт. | 0.846 EUR |
| от 25 шт. | 0.758 EUR |
| от 100 шт. | 0.642 EUR |
| от 250 шт. | 0.575 EUR |
| от 500 шт. | 0.554 EUR |
Похожие компоненты в этой категории