Запрос
Вернуться в каталог и поиск

BCP56-16T1G

Производитель: onsemi

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Одиночные биполярные транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › Bipolar (BJT) › Single Bipolar Transistors

TRANS NPN 80V 1A SOT223

Технические характеристики
Тип монтажа Surface Mount
Тип транзистора NPN
Тип корпуса (Package/Case) TO-261-4, TO-261AA
Рабочая температура -65°C ~ 150°C (TJ)
Граничная частота (ft) 130MHz
Максимальная мощность 1.5 W
Ток коллектора (Ic) (Макс.) 1 A
Тип корпуса от поставщика SOT-223 (TO-261)
Ток отсечки коллектора (Макс.) 100nA (ICBO)
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Макс.) 80 V
Напряжение насыщения Vce(sat) (Макс.) при токах Ib, Ic 500mV @ 50mA, 500mA
Коэффициент усиления по пост. току (hFE) (Мин.) при Ic, Vce 100 @ 150mA, 2V
Складские остатки и цены
Avnet 3,199,000 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 1000 шт. 0.12027 USD
от 2000 шт. 0.11868 USD
от 4000 шт. 0.11639 USD
от 8000 шт. 0.11461 USD
от 16000 шт. 0.11275 USD