Запрос
Вернуться в каталог и поиск

2N7002NXBKR

Производитель: Nexperia USA Inc.

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Одиночные полевые транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › Single FETs, MOSFETs

MOSFET N-CH 60V 270MA TO236AB

Технические характеристики
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажа Surface Mount
Тип корпуса (Package/Case) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss) 60 V
Тип корпуса от поставщика TO-236AB
Тип полевого транзистора (FET) N-Channel
Рассеиваемая мощность (Макс.) 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Постоянный ток стока (Id) при 25°C 270mA (Ta), 330mA (Tc)
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds 23.6 pF @ 10 V
Напряжение затвор-исток Vgs (Макс.) ±20V
Полный заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs 1 nC @ 10 V
Управляющее напряжение (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 5V, 10V
Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id 2.1V @ 250µA
Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs 2.8Ohm @ 200mA, 10V
Складские остатки и цены
Avnet 117,000 шт.
Цены предоставляются по запросу
Future Electronics 33,000 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 3000 шт. 0.0241 USD
от 9000 шт. 0.0235 USD
от 15000 шт. 0.0232 USD
от 30000 шт. 0.0228 USD
от 60000 шт. 0.0223 USD
Mouser 9,524 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 1 шт. 0.146 EUR
от 10 шт. 0.073 EUR
от 100 шт. 0.052 EUR
от 500 шт. 0.038 EUR
от 1000 шт. 0.036 EUR
от 3000 шт. 0.028 EUR
TME 2,147 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 1 шт. 0.1037 EUR
от 5 шт. 0.0767 EUR
от 10 шт. 0.0667 EUR
от 100 шт. 0.0422 EUR
от 500 шт. 0.0316 EUR