Запрос
Вернуться в каталог и поиск

BSN20BKR

Производитель: Nexperia USA Inc.

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Одиночные полевые транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › Single FETs, MOSFETs

MOSFET N-CH 60V 265MA TO236AB

Технические характеристики
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажа Surface Mount
Тип корпуса (Package/Case) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss) 60 V
Тип корпуса от поставщика TO-236AB
Тип полевого транзистора (FET) N-Channel
Рассеиваемая мощность (Макс.) 310mW (Ta)
Постоянный ток стока (Id) при 25°C 265mA (Ta)
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds 20.2 pF @ 30 V
Напряжение затвор-исток Vgs (Макс.) ±20V
Полный заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs 0.49 nC @ 4.5 V
Управляющее напряжение (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 10V
Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id 1.4V @ 250µA
Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs 2.8Ohm @ 200mA, 10V
Складские остатки и цены
Avnet 51,000 шт.
Цены предоставляются по запросу
Farnell 42,215 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 5 шт. 0.244 EUR
от 50 шт. 0.106 EUR
от 100 шт. 0.093 EUR
от 500 шт. 0.0677 EUR
от 1500 шт. 0.0663 EUR
от 3000 шт. 0.0501 EUR
от 9000 шт. 0.0417 EUR
Mouser 4,330 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 1 шт. 0.232 EUR
от 10 шт. 0.101 EUR
от 100 шт. 0.089 EUR
от 500 шт. 0.065 EUR
от 3000 шт. 0.046 EUR
от 9000 шт. 0.04 EUR
от 24000 шт. 0.036 EUR