Запрос
Вернуться в каталог и поиск

2N6661

Производитель: Microchip Technology

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Одиночные полевые транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › Single FETs, MOSFETs

MOSFET N-CH 90V 350MA TO39

Технические характеристики
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажа Through Hole
Тип корпуса (Package/Case) TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss) 90 V
Тип корпуса от поставщика TO-39
Тип полевого транзистора (FET) N-Channel
Рассеиваемая мощность (Макс.) 6.25W (Tc)
Постоянный ток стока (Id) при 25°C 350mA (Tj)
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds 50 pF @ 24 V
Напряжение затвор-исток Vgs (Макс.) ±20V
Управляющее напряжение (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 5V, 10V
Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id 2V @ 1mA
Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs 4Ohm @ 1A, 10V
Складские остатки и цены
Avnet 1,788 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 1 шт. 14.58442 USD
от 2 шт. 14.39744 USD
от 4 шт. 14.21519 USD
от 8 шт. 13.8642 USD
от 16 шт. 13.61212 USD
Farnell 187 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 1 шт. 17.170 EUR
от 25 шт. 13.820 EUR
от 100 шт. 13.540 EUR
от 500 шт. 13.270 EUR
RS HK 85 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 1 шт. 135.20 HKD
RS HK 11 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 1 шт. 154.30 HKD