Запрос
Вернуться в каталог и поиск

BSS123-TP

Производитель: Micro Commercial Co

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Одиночные полевые транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › Single FETs, MOSFETs

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23

Технические характеристики
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажа Surface Mount
Тип корпуса (Package/Case) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss) 100 V
Тип корпуса от поставщика SOT-23
Тип полевого транзистора (FET) N-Channel
Рассеиваемая мощность (Макс.) 350mW
Постоянный ток стока (Id) при 25°C 170mA Tj)
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds 60 pF @ 25 V
Напряжение затвор-исток Vgs (Макс.) ±20V
Полный заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs 2 nC @ 10 V
Управляющее напряжение (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 4.5V, 10V
Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id 2.8V @ 250µA
Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs 6Ohm @ 170mA, 10V
Складские остатки и цены
Future Electronics 993,000 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 3000 шт. 0.0095 USD
от 12000 шт. 0.0092 USD
от 45000 шт. 0.0089 USD
от 90000 шт. 0.0087 USD
от 225000 шт. 0.0084 USD
Farnell 54,215 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 5 шт. 0.241 EUR
от 10 шт. 0.141 EUR
от 100 шт. 0.086 EUR
от 500 шт. 0.0569 EUR
от 1000 шт. 0.0514 EUR
от 5000 шт. 0.0435 EUR