Запрос
Вернуться в каталог и поиск

SI2310-TP

Производитель: Micro Commercial Co

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Одиночные полевые транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › Single FETs, MOSFETs

MOSFET N-CH 60V 3A SOT23

Технические характеристики
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажа Surface Mount
Тип корпуса (Package/Case) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss) 60 V
Тип корпуса от поставщика SOT-23
Тип полевого транзистора (FET) N-Channel
Рассеиваемая мощность (Макс.) 350mW (Ta)
Постоянный ток стока (Id) при 25°C 3A (Ta)
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds 247 pF @ 30 V
Напряжение затвор-исток Vgs (Макс.) ±20V
Полный заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs 6 nC @ 4.5 V
Управляющее напряжение (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 10V
Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id 2V @ 250µA
Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs 125mOhm @ 3A, 4.5V
Складские остатки и цены
Future Electronics 714,000 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 3000 шт. 0.0316 USD
от 12000 шт. 0.0307 USD
от 45000 шт. 0.0299 USD
от 75000 шт. 0.0296 USD
от 150000 шт. 0.0286 USD