IRF5801TRPBF
Производитель: Infineon Technologies
✓ Проверенная номенклатура
📁
Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Одиночные полевые транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › Single FETs, MOSFETs
MOSFET N-CH 200V 600MA MICRO6
Технические характеристики
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажа
Surface Mount
Тип корпуса (Package/Case)
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss)
200 V
Тип корпуса от поставщика
Micro6™(TSOP-6)
Тип полевого транзистора (FET)
N-Channel
Рассеиваемая мощность (Макс.)
2W (Ta)
Постоянный ток стока (Id) при 25°C
600mA (Ta)
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds
88 pF @ 25 V
Напряжение затвор-исток Vgs (Макс.)
±30V
Полный заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs
3.9 nC @ 10 V
Управляющее напряжение (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
10V
Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id
5.5V @ 250µA
Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs
2.2Ohm @ 360mA, 10V
Складские остатки и цены
Mouser
21,237 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 1 шт. | 0.654 EUR |
| от 10 шт. | 0.295 EUR |
| от 100 шт. | 0.26 EUR |
| от 500 шт. | 0.198 EUR |
| от 3000 шт. | 0.151 EUR |
| от 9000 шт. | 0.144 EUR |
| от 24000 шт. | 0.119 EUR |
RS HK
13,660 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 10 шт. | 3.52 HKD |
| от 750 шт. | 3.43 HKD |
| от 1500 шт. | 3.38 HKD |
RS HK
12,000 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 3000 шт. | 1.545 HKD |
| от 15000 шт. | 1.514 HKD |
Farnell
5,049 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 5 шт. | 0.671 EUR |
| от 50 шт. | 0.303 EUR |
| от 100 шт. | 0.267 EUR |
| от 500 шт. | 0.202 EUR |
| от 1500 шт. | 0.198 EUR |
| от 3000 шт. | 0.154 EUR |
| от 9000 шт. | 0.134 EUR |
TME
1,194 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 1 шт. | 0.719 EUR |
| от 5 шт. | 0.533 EUR |
| от 10 шт. | 0.46 EUR |
| от 50 шт. | 0.327 EUR |
| от 100 шт. | 0.284 EUR |
| от 500 шт. | 0.211 EUR |
| от 3000 шт. | 0.189 EUR |
Похожие компоненты в этой категории