IPW60R190C6FKSA1
Производитель: Infineon Technologies
✓ Проверенная номенклатура
📁
Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Одиночные полевые транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › Single FETs, MOSFETs
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247-3
Технические характеристики
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажа
Through Hole
Тип корпуса (Package/Case)
TO-247-3
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss)
600 V
Тип корпуса от поставщика
PG-TO247-3-1
Тип полевого транзистора (FET)
N-Channel
Рассеиваемая мощность (Макс.)
151W (Tc)
Постоянный ток стока (Id) при 25°C
20.2A (Tc)
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds
1400 pF @ 100 V
Напряжение затвор-исток Vgs (Макс.)
±20V
Полный заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs
63 nC @ 10 V
Управляющее напряжение (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
10V
Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id
3.5V @ 630µA
Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs
190mOhm @ 9.5A, 10V
Складские остатки и цены
Avnet
50,030 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 30 шт. | 1.77133 USD |
| от 60 шт. | 1.74477 USD |
| от 120 шт. | 1.71818 USD |
| от 240 шт. | 1.69162 USD |
| от 480 шт. | 1.665 USD |
TME
122 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 1 шт. | 3.96 EUR |
| от 3 шт. | 3.73 EUR |
| от 10 шт. | 3.08 EUR |
| от 30 шт. | 2.7 EUR |
Похожие компоненты в этой категории