BSS7728NH6327XTSA2
Производитель: Infineon Technologies
✓ Проверенная номенклатура
📁
Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Одиночные полевые транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › Single FETs, MOSFETs
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3
Технические характеристики
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажа
Surface Mount
Тип корпуса (Package/Case)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss)
60 V
Тип корпуса от поставщика
PG-SOT23
Тип полевого транзистора (FET)
N-Channel
Рассеиваемая мощность (Макс.)
360mW (Ta)
Постоянный ток стока (Id) при 25°C
200mA (Ta)
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds
56 pF @ 25 V
Напряжение затвор-исток Vgs (Макс.)
±20V
Полный заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs
1.5 nC @ 10 V
Управляющее напряжение (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
4.5V, 10V
Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id
2.3V @ 26µA
Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs
5Ohm @ 500mA, 10V
Складские остатки и цены
RS HK
37,400 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 200 шт. | 0.911 HKD |
| от 800 шт. | 0.888 HKD |
| от 1600 шт. | 0.875 HKD |
RS HK
36,000 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 3000 шт. | 0.504 HKD |
| от 6000 шт. | 0.493 HKD |
| от 12000 шт. | 0.478 HKD |
TME
1,840 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 10 шт. | 0.1315 EUR |
| от 100 шт. | 0.0936 EUR |
| от 250 шт. | 0.0751 EUR |
| от 1000 шт. | 0.0653 EUR |
| от 3000 шт. | 0.0608 EUR |
Farnell
345 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 5 шт. | 0.134 EUR |
| от 50 шт. | 0.0825 EUR |
| от 250 шт. | 0.0732 EUR |
| от 12000 шт. | 0.0486 EUR |
| от 36000 шт. | 0.0439 EUR |
Похожие компоненты в этой категории