BSP125H6327XTSA1
Производитель: Infineon Technologies
✓ Проверенная номенклатура
📁
Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Одиночные полевые транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › Single FETs, MOSFETs
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Технические характеристики
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажа
Surface Mount
Тип корпуса (Package/Case)
TO-261-4, TO-261AA
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss)
600 V
Тип корпуса от поставщика
PG-SOT223-4
Тип полевого транзистора (FET)
N-Channel
Рассеиваемая мощность (Макс.)
1.8W (Ta)
Постоянный ток стока (Id) при 25°C
120mA (Ta)
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds
150 pF @ 25 V
Напряжение затвор-исток Vgs (Макс.)
±20V
Полный заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs
6.6 nC @ 10 V
Управляющее напряжение (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
4.5V, 10V
Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id
2.3V @ 94µA
Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs
45Ohm @ 120mA, 10V
Складские остатки и цены
Avnet
55,000 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 1000 шт. | 0.16743 USD |
| от 2000 шт. | 0.166 USD |
| от 4000 шт. | 0.16364 USD |
| от 8000 шт. | 0.16127 USD |
| от 16000 шт. | 0.15891 USD |
Farnell
3,433 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 1 шт. | 0.973 EUR |
| от 10 шт. | 0.450 EUR |
| от 50 шт. | 0.425 EUR |
| от 200 шт. | 0.400 EUR |
| от 500 шт. | 0.308 EUR |
| от 1000 шт. | 0.276 EUR |
| от 3000 шт. | 0.235 EUR |
TME
625 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 1 шт. | 1.056 EUR |
| от 10 шт. | 0.654 EUR |
| от 50 шт. | 0.482 EUR |
| от 100 шт. | 0.425 EUR |
| от 200 шт. | 0.376 EUR |
| от 500 шт. | 0.36 EUR |
Mouser
583 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 1 шт. | 0.963 EUR |
| от 10 шт. | 0.446 EUR |
| от 100 шт. | 0.396 EUR |
| от 500 шт. | 0.305 EUR |
| от 1000 шт. | 0.266 EUR |
| от 2000 шт. | 0.23 EUR |
| от 5000 шт. | 0.227 EUR |
| от 10000 шт. | 0.224 EUR |
| от 25000 шт. | 0.219 EUR |
Похожие компоненты в этой категории