BSC190N15NS3GATMA1
Производитель: Infineon Technologies
✓ Проверенная номенклатура
📁
Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Одиночные полевые транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › Single FETs, MOSFETs
MOSFET N-CH 150V 50A TDSON-8-1
Технические характеристики
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажа
Surface Mount
Тип корпуса (Package/Case)
8-PowerTDFN
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss)
150 V
Тип корпуса от поставщика
PG-TDSON-8-1
Тип полевого транзистора (FET)
N-Channel
Рассеиваемая мощность (Макс.)
125W (Tc)
Постоянный ток стока (Id) при 25°C
50A (Tc)
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds
2420 pF @ 75 V
Напряжение затвор-исток Vgs (Макс.)
±20V
Полный заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs
31 nC @ 10 V
Управляющее напряжение (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
8V, 10V
Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id
4V @ 90µA
Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs
19mOhm @ 50A, 10V
Складские остатки и цены
Avnet
35,000 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 5000 шт. | 0.8364 USD |
| от 10000 шт. | 0.82386 USD |
| от 20000 шт. | 0.81829 USD |
| от 40000 шт. | 0.81407 USD |
| от 80000 шт. | 0.80986 USD |
TME
1,249 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 1 шт. | 1.62 EUR |
| от 3 шт. | 1.6 EUR |
Похожие компоненты в этой категории