SGB02N120ATMA1
Производитель: Infineon Technologies
✓ Проверенная номенклатура
📁
Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) › Одиночные IGBT
Discrete Semiconductor Products › Transistors › IGBTs › Single IGBTs
IGBT 1200V 6.2A 62W TO263-3
Технические характеристики
Тип входа
Standard
Тип монтажа
Surface Mount
Заряд затвора
11 nC
Тип IGBT транзистора
NPT
Тип корпуса (Package/Case)
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Условия тестирования
800V, 2A, 91Ohm, 15V
Энергия переключения
220µJ
Максимальная мощность
62 W
Ток коллектора (Ic) (Макс.)
6.2 A
Задержка (вкл/выкл) при 25°C
23ns/260ns
Тип корпуса от поставщика
PG-TO263-3-2
Импульсный ток коллектора (Icm)
9.6 A
Напряжение Vce(on) (Макс.) при Vge, Ic
3.6V @ 15V, 2A
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Макс.)
1200 V
Складские остатки и цены
TME
47,000 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 1000 шт. | 1.1 EUR |
Похожие компоненты в этой категории