Запрос
Вернуться в каталог и поиск

IRLR120NTRPBF

Производитель: Infineon Technologies

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Одиночные полевые транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › Single FETs, MOSFETs

MOSFET N-CH 100V 10A DPAK

Технические характеристики
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажа Surface Mount
Тип корпуса (Package/Case) TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss) 100 V
Тип корпуса от поставщика D-Pak
Тип полевого транзистора (FET) N-Channel
Рассеиваемая мощность (Макс.) 48W (Tc)
Постоянный ток стока (Id) при 25°C 10A (Tc)
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds 440 pF @ 25 V
Напряжение затвор-исток Vgs (Макс.) ±16V
Полный заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs 20 nC @ 5 V
Управляющее напряжение (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 4V, 10V
Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id 2V @ 250µA
Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs 185mOhm @ 6A, 10V
Складские остатки и цены
Avnet 124,000 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 2000 шт. 0.18667 USD
от 4000 шт. 0.18387 USD
от 8000 шт. 0.18149 USD
от 16000 шт. 0.18055 USD
от 32000 шт. 0.17962 USD
Mouser 44,686 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 1 шт. 1.01 EUR
от 10 шт. 0.473 EUR
от 100 шт. 0.393 EUR
от 500 шт. 0.315 EUR
от 1000 шт. 0.291 EUR
от 2000 шт. 0.246 EUR
от 4000 шт. 0.215 EUR
от 10000 шт. 0.213 EUR
от 24000 шт. 0.209 EUR
TME 5,519 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 1 шт. 1.106 EUR
от 10 шт. 0.624 EUR
от 100 шт. 0.444 EUR
от 500 шт. 0.34 EUR
от 1000 шт. 0.299 EUR
от 2000 шт. 0.26 EUR
от 4000 шт. 0.25 EUR