Запрос
Вернуться в каталог и поиск

IRF7832TRPBF

Производитель: Infineon Technologies

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Одиночные полевые транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › Single FETs, MOSFETs

MOSFET N-CH 30V 20A 8SO

Технические характеристики
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажа Surface Mount
Тип корпуса (Package/Case) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура -55°C ~ 155°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss) 30 V
Тип корпуса от поставщика 8-SO
Тип полевого транзистора (FET) N-Channel
Рассеиваемая мощность (Макс.) 2.5W (Ta)
Постоянный ток стока (Id) при 25°C 20A (Ta)
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds 4310 pF @ 15 V
Напряжение затвор-исток Vgs (Макс.) ±20V
Полный заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs 51 nC @ 4.5 V
Управляющее напряжение (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 4.5V, 10V
Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id 2.32V @ 250µA
Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs 4mOhm @ 20A, 10V
Складские остатки и цены
Avnet 68,000 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 4000 шт. 0.37113 USD
от 8000 шт. 0.36923 USD
от 16000 шт. 0.36734 USD
от 32000 шт. 0.36545 USD
от 64000 шт. 0.36355 USD
Future Electronics 16,000 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 4000 шт. 0.475 USD
от 8000 шт. 0.47 USD
от 16000 шт. 0.465 USD
Mouser 9,346 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 1 шт. 1.56 EUR
от 10 шт. 0.989 EUR
от 100 шт. 0.661 EUR
от 500 шт. 0.521 EUR
от 1000 шт. 0.476 EUR
от 2000 шт. 0.439 EUR
от 4000 шт. 0.415 EUR
TME 3,224 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 1 шт. 1.479 EUR
от 10 шт. 0.976 EUR
от 100 шт. 0.717 EUR
от 250 шт. 0.638 EUR
от 500 шт. 0.591 EUR
от 1000 шт. 0.57 EUR
RS HK 1,550 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 1000 шт. 8.31 HKD
от 2000 шт. 8.18 HKD