IRF7343TRPBF
Производитель: Infineon Technologies
✓ Проверенная номенклатура
📁
Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Сборки полевых транзисторов
Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › FET, MOSFET Arrays
MOSFET N/P-CH 55V 8-SOIC
Технические характеристики
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажа
Surface Mount
Конфигурация
N and P-Channel
Тип корпуса (Package/Case)
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Максимальная мощность
2W
Напряжение сток-исток (Vdss)
55V
Тип корпуса от поставщика
8-SO
Постоянный ток стока (Id) при 25°C
4.7A, 3.4A
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds
740pF @ 25V
Полный заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs
36nC @ 10V
Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id
1V @ 250µA
Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs
50mOhm @ 4.7A, 10V
Складские остатки и цены
Avnet
87,600 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 4000 шт. | 0.27273 USD |
| от 8000 шт. | 0.27134 USD |
| от 16000 шт. | 0.26995 USD |
| от 32000 шт. | 0.26856 USD |
| от 64000 шт. | 0.26717 USD |
TME
7,136 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 1 шт. | 1.568 EUR |
| от 10 шт. | 0.986 EUR |
| от 50 шт. | 0.751 EUR |
| от 100 шт. | 0.666 EUR |
| от 250 шт. | 0.565 EUR |
| от 500 шт. | 0.497 EUR |
| от 2000 шт. | 0.38 EUR |
| от 4000 шт. | 0.329 EUR |
| от 8000 шт. | 0.314 EUR |
RS HK
1,450 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 1000 шт. | 9.28 HKD |
| от 2000 шт. | 9.14 HKD |
Похожие компоненты в этой категории