BSZ097N04LSGATMA1
Производитель: Infineon Technologies
✓ Проверенная номенклатура
📁
Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Одиночные полевые транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › Single FETs, MOSFETs
MOSFET N-CH 40V 12A/40A 8TSDSON
Технические характеристики
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажа
Surface Mount
Тип корпуса (Package/Case)
8-PowerTDFN
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss)
40 V
Тип корпуса от поставщика
PG-TSDSON-8
Тип полевого транзистора (FET)
N-Channel
Рассеиваемая мощность (Макс.)
2.1W (Ta), 35W (Tc)
Постоянный ток стока (Id) при 25°C
12A (Ta), 40A (Tc)
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds
1900 pF @ 20 V
Напряжение затвор-исток Vgs (Макс.)
±20V
Полный заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs
24 nC @ 10 V
Управляющее напряжение (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
4.5V, 10V
Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id
2V @ 14µA
Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs
9.7mOhm @ 20A, 10V
Складские остатки и цены
RS HK
25,285 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 5 шт. | 10.54 HKD |
| от 1250 шт. | 10.30 HKD |
| от 2500 шт. | 10.16 HKD |
RS HK
25,000 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 5000 шт. | 2.428 HKD |
| от 10000 шт. | 2.379 HKD |
| от 50000 шт. | 2.331 HKD |
Farnell
7,666 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 1 шт. | 1.260 EUR |
| от 10 шт. | 0.773 EUR |
| от 100 шт. | 0.509 EUR |
| от 500 шт. | 0.400 EUR |
| от 1000 шт. | 0.350 EUR |
| от 5000 шт. | 0.269 EUR |
TME
673 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 1 шт. | 1.021 EUR |
| от 10 шт. | 0.751 EUR |
| от 50 шт. | 0.606 EUR |
| от 100 шт. | 0.556 EUR |
| от 125 шт. | 0.541 EUR |
| от 250 шт. | 0.489 EUR |
| от 500 шт. | 0.442 EUR |
| от 1000 шт. | 0.4 EUR |
| от 5000 шт. | 0.378 EUR |
Похожие компоненты в этой категории