Запрос
Вернуться в каталог и поиск

BSP316PH6327XTSA1

Производитель: Infineon Technologies

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Одиночные полевые транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › Single FETs, MOSFETs

MOSFET P-CH 100V 680MA SOT223-4

Технические характеристики
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажа Surface Mount
Тип корпуса (Package/Case) TO-261-4, TO-261AA
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss) 100 V
Тип корпуса от поставщика PG-SOT223-4
Тип полевого транзистора (FET) P-Channel
Рассеиваемая мощность (Макс.) 1.8W (Ta)
Постоянный ток стока (Id) при 25°C 680mA (Ta)
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds 146 pF @ 25 V
Напряжение затвор-исток Vgs (Макс.) ±20V
Полный заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs 6.4 nC @ 10 V
Управляющее напряжение (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 4.5V, 10V
Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id 2V @ 170µA
Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs 1.8Ohm @ 680mA, 10V
Складские остатки и цены
Mouser 35,608 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 1 шт. 0.963 EUR
от 10 шт. 0.445 EUR
от 100 шт. 0.395 EUR
от 500 шт. 0.304 EUR
от 1000 шт. 0.239 EUR
от 2000 шт. 0.215 EUR
от 5000 шт. 0.21 EUR
Farnell 1,163 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 1 шт. 0.973 EUR
от 10 шт. 0.450 EUR
от 100 шт. 0.399 EUR
от 500 шт. 0.309 EUR
от 1000 шт. 0.281 EUR
от 5000 шт. 0.239 EUR
RS HK 910 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 10 шт. 7.48 HKD
от 100 шт. 6.76 HKD
от 250 шт. 6.08 HKD
от 500 шт. 5.48 HKD
TME 639 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 1 шт. 0.795 EUR
от 10 шт. 0.555 EUR
от 50 шт. 0.437 EUR
от 100 шт. 0.398 EUR
от 125 шт. 0.385 EUR
от 500 шт. 0.306 EUR
от 1000 шт. 0.263 EUR
от 2000 шт. 0.254 EUR