Запрос
Вернуться в каталог и поиск

BSL308CH6327XTSA1

Производитель: Infineon Technologies

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Сборки полевых транзисторов
Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › FET, MOSFET Arrays

MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A 6TSOP

Технические характеристики
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажа Surface Mount
Конфигурация N and P-Channel Complementary
Тип корпуса (Package/Case) SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Максимальная мощность 500mW
Напряжение сток-исток (Vdss) 30V
Тип корпуса от поставщика PG-TSOP6-6
Постоянный ток стока (Id) при 25°C 2.3A, 2A
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds 275pF @ 15V
Полный заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs 1.5nC @ 10V
Особенности FET (полевого транзистора) Logic Level Gate, 4.5V Drive
Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id 2V @ 11µA
Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs 57mOhm @ 2.3A, 10V
Складские остатки и цены
Mouser 67,597 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 1 шт. 0.894 EUR
от 10 шт. 0.424 EUR
от 100 шт. 0.349 EUR
от 500 шт. 0.281 EUR
от 1000 шт. 0.258 EUR
от 3000 шт. 0.203 EUR
от 6000 шт. 0.197 EUR
RS HK 11,250 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 50 шт. 4.18 HKD
от 750 шт. 4.074 HKD
от 1500 шт. 4.012 HKD
RS HK 9,000 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 3000 шт. 2.066 HKD
от 15000 шт. 2.024 HKD
TME 3,098 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 1 шт. 0.98 EUR
от 10 шт. 0.471 EUR
от 50 шт. 0.4 EUR
от 100 шт. 0.372 EUR
от 500 шт. 0.305 EUR
от 1000 шт. 0.277 EUR
от 3000 шт. 0.233 EUR
от 6000 шт. 0.205 EUR
от 9000 шт. 0.197 EUR