BSC100N06LS3GATMA1
Производитель: Infineon Technologies
✓ Проверенная номенклатура
📁
Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Одиночные полевые транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › Single FETs, MOSFETs
MOSFET N-CH 60V 12A/50A TDSON
Технические характеристики
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажа
Surface Mount
Тип корпуса (Package/Case)
8-PowerTDFN
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss)
60 V
Тип корпуса от поставщика
PG-TDSON-8-5
Тип полевого транзистора (FET)
N-Channel
Рассеиваемая мощность (Макс.)
2.5W (Ta), 50W (Tc)
Постоянный ток стока (Id) при 25°C
12A (Ta), 50A (Tc)
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds
3500 pF @ 30 V
Напряжение затвор-исток Vgs (Макс.)
±20V
Полный заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs
45 nC @ 10 V
Управляющее напряжение (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
4.5V, 10V
Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id
2.2V @ 23µA
Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs
10mOhm @ 50A, 10V
Складские остатки и цены
Farnell
63,570 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 1 шт. | 0.975 EUR |
| от 10 шт. | 0.601 EUR |
| от 100 шт. | 0.396 EUR |
| от 500 шт. | 0.363 EUR |
| от 1000 шт. | 0.356 EUR |
| от 5000 шт. | 0.348 EUR |
TME
7,665 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 1 шт. | 1.451 EUR |
| от 10 шт. | 0.908 EUR |
| от 25 шт. | 0.712 EUR |
| от 50 шт. | 0.605 EUR |
| от 100 шт. | 0.541 EUR |
| от 125 шт. | 0.534 EUR |
| от 250 шт. | 0.515 EUR |
RS HK
4,980 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 1250 шт. | 12.98 HKD |
| от 2500 шт. | 12.72 HKD |
RS HK
30 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 5 шт. | 13.28 HKD |
| от 1250 шт. | 12.98 HKD |
| от 2500 шт. | 12.72 HKD |
Похожие компоненты в этой категории