BSC028N06NSATMA1
Производитель: Infineon Technologies
✓ Проверенная номенклатура
📁
Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Одиночные полевые транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › Single FETs, MOSFETs
MOSFET N-CH 60V 23A/100A TDSON
Технические характеристики
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажа
Surface Mount
Тип корпуса (Package/Case)
8-PowerTDFN
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss)
60 V
Тип корпуса от поставщика
PG-TDSON-8-7
Тип полевого транзистора (FET)
N-Channel
Рассеиваемая мощность (Макс.)
2.5W (Ta), 83W (Tc)
Постоянный ток стока (Id) при 25°C
23A (Ta), 100A (Tc)
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds
2700 pF @ 30 V
Напряжение затвор-исток Vgs (Макс.)
±20V
Полный заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs
37 nC @ 10 V
Управляющее напряжение (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
6V, 10V
Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id
2.8V @ 50µA
Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs
2.8mOhm @ 50A, 10V
Складские остатки и цены
Avnet
375,000 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 5000 шт. | 0.5488 USD |
| от 10000 шт. | 0.546 USD |
| от 20000 шт. | 0.5432 USD |
| от 40000 шт. | 0.5404 USD |
| от 80000 шт. | 0.5376 USD |
Farnell
23,638 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 5 шт. | 2.240 EUR |
| от 50 шт. | 1.230 EUR |
| от 250 шт. | 1.120 EUR |
| от 1000 шт. | 0.956 EUR |
| от 3000 шт. | 0.895 EUR |
| от 5000 шт. | 0.640 EUR |
| от 15000 шт. | 0.627 EUR |
RS HK
4,930 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 1250 шт. | 19.50 HKD |
| от 2500 шт. | 19.19 HKD |
TME
1,346 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 1 шт. | 2.6 EUR |
| от 5 шт. | 2.15 EUR |
| от 10 шт. | 1.87 EUR |
| от 50 шт. | 1.34 EUR |
| от 100 шт. | 1.29 EUR |
Похожие компоненты в этой категории