Запрос
Вернуться в каталог и поиск

ZXM61P02FTA

Производитель: Diodes Incorporated

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Одиночные полевые транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › Single FETs, MOSFETs

MOSFET P-CH 20V 900MA SOT23-3

Технические характеристики
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажа Surface Mount
Тип корпуса (Package/Case) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss) 20 V
Тип корпуса от поставщика SOT-23-3
Тип полевого транзистора (FET) P-Channel
Рассеиваемая мощность (Макс.) 625mW (Ta)
Постоянный ток стока (Id) при 25°C 900mA (Ta)
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds 150 pF @ 15 V
Напряжение затвор-исток Vgs (Макс.) ±12V
Полный заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs 3.5 nC @ 4.5 V
Управляющее напряжение (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 2.7V, 4.5V
Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id 1.5V @ 250µA
Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs 600mOhm @ 610mA, 4.5V
Складские остатки и цены
RS HK 57,100 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 25 шт. 3.564 HKD
от 750 шт. 3.484 HKD
от 1500 шт. 3.42 HKD
RS HK 57,000 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 3000 шт. 1.321 HKD
от 6000 шт. 1.281 HKD
Future Electronics 3,000 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 3000 шт. 0.127 USD
от 9000 шт. 0.124 USD
от 30000 шт. 0.122 USD
от 45000 шт. 0.12 USD
TME 2 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 1 шт. 0.21 EUR
от 10 шт. 0.165 EUR
от 100 шт. 0.152 EUR