DMG6602SVT-7
Производитель: Diodes Incorporated
✓ Проверенная номенклатура
📁
Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Сборки полевых транзисторов
Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › FET, MOSFET Arrays
MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6
Технические характеристики
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажа
Surface Mount
Конфигурация
N and P-Channel
Тип корпуса (Package/Case)
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Максимальная мощность
840mW
Напряжение сток-исток (Vdss)
30V
Тип корпуса от поставщика
TSOT-26
Постоянный ток стока (Id) при 25°C
3.4A, 2.8A
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds
400pF @ 15V
Полный заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs
13nC @ 10V
Особенности FET (полевого транзистора)
Logic Level Gate, 4.5V Drive
Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id
2.3V @ 250µA
Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs
60mOhm @ 3.1A, 10V
Складские остатки и цены
Mouser
337,296 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 1 шт. | 0.473 EUR |
| от 10 шт. | 0.21 EUR |
| от 500 шт. | 0.157 EUR |
| от 1000 шт. | 0.135 EUR |
| от 3000 шт. | 0.103 EUR |
| от 6000 шт. | 0.097 EUR |
RS HK
75,000 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 3000 шт. | 5.925 HKD |
| от 6000 шт. | 5.747 HKD |
| от 12000 шт. | 5.574 HKD |
TME
2,817 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 1 шт. | 0.448 EUR |
| от 10 шт. | 0.304 EUR |
| от 50 шт. | 0.202 EUR |
| от 100 шт. | 0.17 EUR |
| от 500 шт. | 0.118 EUR |
| от 1000 шт. | 0.102 EUR |
| от 1500 шт. | 0.094 EUR |
| от 3000 шт. | 0.084 EUR |
| от 6000 шт. | 0.08 EUR |
Похожие компоненты в этой категории