Запрос
Вернуться в каталог и поиск

ZXTP2012GTA

Производитель: Diodes Incorporated

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Одиночные биполярные транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › Bipolar (BJT) › Single Bipolar Transistors

TRANS PNP 60V 5.5A SOT223-3

Технические характеристики
Тип монтажа Surface Mount
Тип транзистора PNP
Тип корпуса (Package/Case) TO-261-4, TO-261AA
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Граничная частота (ft) 120MHz
Максимальная мощность 3 W
Ток коллектора (Ic) (Макс.) 5.5 A
Тип корпуса от поставщика SOT-223-3
Ток отсечки коллектора (Макс.) 20nA (ICBO)
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Макс.) 60 V
Напряжение насыщения Vce(sat) (Макс.) при токах Ib, Ic 250mV @ 500mA, 5A
Коэффициент усиления по пост. току (hFE) (Мин.) при Ic, Vce 100 @ 2A, 1V
Складские остатки и цены
Future Electronics 136,000 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 1000 шт. 0.60 USD
от 2000 шт. 0.59 USD
от 3000 шт. 0.585 USD
от 5000 шт. 0.57 USD
Mouser 7,156 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 1 шт. 1.64 EUR
от 10 шт. 0.777 EUR
от 100 шт. 0.692 EUR
от 500 шт. 0.572 EUR
от 1000 шт. 0.488 EUR
TME 996 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 1 шт. 1.437 EUR
от 10 шт. 0.902 EUR
от 100 шт. 0.601 EUR
от 250 шт. 0.528 EUR
от 500 шт. 0.49 EUR
от 1000 шт. 0.474 EUR
Farnell 135 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 1 шт. 2.150 EUR
от 10 шт. 1.130 EUR
от 100 шт. 0.826 EUR
от 500 шт. 0.681 EUR
от 1000 шт. 0.539 EUR
от 5000 шт. 0.462 EUR