Запрос
Вернуться в каталог и поиск

ZXMP10A17E6TA

Производитель: Diodes Incorporated

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Одиночные полевые транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › Single FETs, MOSFETs

MOSFET P-CH 100V 1.3A SOT26

Технические характеристики
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажа Surface Mount
Тип корпуса (Package/Case) SOT-23-6
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss) 100 V
Тип корпуса от поставщика SOT-26
Тип полевого транзистора (FET) P-Channel
Рассеиваемая мощность (Макс.) 1.1W (Ta)
Постоянный ток стока (Id) при 25°C 1.3A (Ta)
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds 424 pF @ 50 V
Напряжение затвор-исток Vgs (Макс.) ±20V
Полный заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs 6.1 nC @ 5 V
Управляющее напряжение (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 6V, 10V
Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id 4V @ 250µA
Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs 350mOhm @ 1.4A, 10V
Складские остатки и цены
RS HK 36,000 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 3000 шт. 3.562 HKD
от 15000 шт. 3.49 HKD
Mouser 393 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 1 шт. 1.52 EUR
от 10 шт. 0.946 EUR
от 100 шт. 0.619 EUR
от 500 шт. 0.575 EUR
от 3000 шт. 0.377 EUR
TME 6 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 1 шт. 1.232 EUR
от 10 шт. 0.916 EUR
от 50 шт. 0.653 EUR
от 100 шт. 0.564 EUR
от 250 шт. 0.473 EUR
от 500 шт. 0.426 EUR
от 1000 шт. 0.399 EUR
от 3000 шт. 0.368 EUR
от 9000 шт. 0.35 EUR