Запрос
Вернуться в каталог и поиск

ZXMN7A11GTA

Производитель: Diodes Incorporated

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Одиночные полевые транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › Single FETs, MOSFETs

MOSFET N-CH 70V 2.7A SOT223

Технические характеристики
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажа Surface Mount
Тип корпуса (Package/Case) TO-261-4, TO-261AA
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss) 70 V
Тип корпуса от поставщика SOT-223-3
Тип полевого транзистора (FET) N-Channel
Рассеиваемая мощность (Макс.) 2W (Ta)
Постоянный ток стока (Id) при 25°C 2.7A (Ta)
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds 298 pF @ 40 V
Напряжение затвор-исток Vgs (Макс.) ±20V
Полный заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs 7.4 nC @ 10 V
Управляющее напряжение (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 4.5V, 10V
Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id 1V @ 250µA
Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs 130mOhm @ 4.4A, 10V
Складские остатки и цены
Future Electronics 99,000 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 1000 шт. 0.275 USD
от 4000 шт. 0.27 USD
от 15000 шт. 0.26 USD
Mouser 1,784 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 1 шт. 1.61 EUR
от 10 шт. 0.76 EUR
от 100 шт. 0.678 EUR
от 500 шт. 0.556 EUR
от 1000 шт. 0.475 EUR
RS HK 100 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 5 шт. 12.80 HKD
от 250 шт. 12.54 HKD
от 500 шт. 12.36 HKD
TME 43 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 1 шт. 1.455 EUR
от 10 шт. 0.916 EUR
от 25 шт. 0.767 EUR
от 50 шт. 0.674 EUR
от 100 шт. 0.595 EUR
от 250 шт. 0.507 EUR
от 500 шт. 0.449 EUR
от 1000 шт. 0.404 EUR
от 3000 шт. 0.385 EUR